[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010515786.6 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN112071822A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 班文贝;欧权锡;乔治·斯科特 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置，其包含：衬底，其具有衬底顶部侧、衬底横向侧和衬底底部侧；在所述衬底顶部侧上的电子装置；以及在所述衬底顶部侧上的密封剂，其接触所述电子装置的横向表面。所述衬底包含导电结构和介电结构，所述介电结构包含与所述密封剂接触的突出部。所述导电结构包含引线，所述引线包含引线侧翼，所述引线侧翼包含空腔和在所述空腔中的所述引线的表面上的导电涂层。所述导电结构包含在所述衬底顶部侧处暴露的焊盘，所述焊盘嵌入在所述介电结构中并且与所述突出部相邻，以经由第一内部互连件与所述电子装置电耦合。本文还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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