[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 202010527845.1 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN112349724A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 尹敬和;郭判硕;金灿镐;姜东求 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;G11C8/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种存储器装置,所述存储器装置包括:外围电路区域,包括第一基底和位于第一基底上的电路元件,电路元件包括行解码器;单元阵列区域,包括字线和沟道结构,字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上,沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线;以及单元接触区域,包括单元接触件,单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上,单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域,第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的