[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器在审
| 申请号： | 202010528241.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809118A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李国兴;薛胜元;叶德炜;吴建良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一晶体管以及第二晶体管设于基底上、一源极线偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域以及一第一金属内连线偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中第一金属内连线延伸并重叠第一晶体管及第二晶体管，且第一金属内连线包含第一端偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域以及第二端偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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