[发明专利]一种光电器件及其制备方法、光电探测器有效
| 申请号： | 202010529277.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111640809B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李凡;陈江博;梁魁;张硕;孟凡理;李达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 王迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 器件 及其 制备 方法 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
