[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010532472.7 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111883622B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。发光层设置包括第一复合层与第二复合层。第一复合层中第一GaN垒层轻微阻挡电子，减缓电子迁移速度。厚度较大的第一InGaN阱层提供电子较多的迁移空间并积累电子，减少迁移到第二复合层并进行复合的电子，使得迁移速度较慢的空穴有足够的空间迁移至包括多个交替层叠的第二InGaN阱层与第三GaN垒层第二复合层与第一复合层进行复合。第二GaN垒层的厚度小于第三GaN垒层的厚度，更多的空穴可以进入靠近n型GaN层的第一复合层内与较多的电子复合发光，电子与空穴不是集中在发光层靠近p型GaN层的边缘进行发光，可以提高外延片的发光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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