[发明专利]一种双孢菇培植工艺在审

专利信息
申请号: 202010532866.2 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111699914A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 沈蓉蓉 申请(专利权)人: 沈蓉蓉
主分类号: A01G18/00 分类号: A01G18/00;A01G18/40;A01G18/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225500 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双孢菇培植工艺,其特征在于:包括如下制备步骤:步骤一:播种及菌丝培养;步骤二:覆草炭土;步骤三:搔菌:当菌丝穿透草炭土厚度的70‑80%时,使用耙将草炭土表面2cm左右厚度耙松;步骤四:对培养床床面上的多余的草炭土用耙工具除掉,此步骤中,室温控制在25℃,料温控制在27℃以下,湿度控制在95%,二氧化碳浓度15000‑16000ppm,保持12‑24小时。优点是:搔菌步骤中,用耙将草炭土耙松,主要目的是想将直径大于3㎝的草炭土打散,使菌丝可以更加容易和均匀的向外生长,以利于菇蕾均匀的扭结;在调整步骤中,使用耙将床面上多余的草炭土拔掉,使长出床面的菌丝更均匀,让整个栽培室整齐扭结,为以后的统一管理、集中采摘打下基础。
搜索关键词: 一种 双孢菇 培植 工艺
【主权项】:
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