[发明专利]一种氧化锌基发光二极管及制造方法在审
| 申请号： | 202010542599.7 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111755579A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王霄;敖金平;冶琼;翟小崎;王婷婷;彭韬玮 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/28;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷;祁凡雨 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的氧化锌基发光二极管及制造方法，包括P型硅衬底、圆柱形金属纳米颗粒阵列层、电子阻挡层和氧化锌(ZnO)层，通过金属纳米颗粒的局域表面等离子体效应增强ZnO的发光强度。本发明还公开所述发光二极管的制造方法，利用阳极氧化铝(AAO)薄膜制备纳米颗粒，可精确控制纳米颗粒的尺寸和间距。本发明的关键点在于利用AAO膜制备圆柱形金属纳米颗粒阵列，通过精确控制纳米颗粒阵列的形状、尺寸和间距，得到金属局域表面等离子体能量与ZnO激元能量最匹配的颗粒分布，最大程度增强ZnO发光，提高二极管的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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