[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010546208.9 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809176A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;肖杏宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，所述方法在形成高K栅介质层之后，直接采用物理气相沉积工艺在栅开口内形成伪金属栅极，可以显著降低界面缺陷电荷密度；在刻蚀去除伪金属栅极之后，对所述高K栅介质层执行沉积后退火，可以抑制后续采用原子层沉积工艺在所述栅开口内形成金属栅极时所导致的界面缺陷电荷密度的增加，进一步降低缺陷电荷密度，显著降低低频噪声，提高所形成的半导体结构的性能，可以提高所形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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