[发明专利]晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 202010546548.1 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111489966A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 邵滋人;李荣;陈瑜;沈珏玮 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的切割方法。本发明的晶圆的切割方法，包括以下步骤，首先利用激光沿晶圆正面的预切痕进行切割，激光切割的切割道的深度超过晶圆的最终厚度的，然后在晶圆的正面上贴附研磨胶膜层，对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨，将晶圆研磨到最终的目标厚度，使芯片之间相互分开，在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层，并通过胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上，再去除晶圆正面上的研磨胶膜层。再利用激光沿芯片间的纵向和横向切割道继续切割，将晶圆背面的胶膜层切开，最后在低温状态下使胶膜层与芯片相互分离。本发明的切割方法，用于超薄晶圆的切割，晶圆切割时不会产生崩缺问题，提高了晶圆的切割的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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