[发明专利]一种降低寄生电容的MOS电容及优化方法在审
| 申请号： | 202010546600.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111883596A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘新宁;潘家驹 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 叶涓涓 |
| 地址： | 211189 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低寄生电容的MOS电容和降低MOS电容寄生电容的优化方法，在MOS电容N‑阱接触与偏置电压Vbias之间接入一高阻抗Z，使N‑阱到P‑衬底之间较小的电容等效串联入寄生电容(主要为沟道至N‑阱之间的电容)，从而降低MOS电容的总寄生电容，解决了MOS电容在开关电容等应用场景中寄生过大的问题。通过本发明提供的技术方案，MOS电容的寄生因子由10％‑20％减小至1％‑2％，降低了MOS电容的寄生电容，增加了MOS电容的有效电容密度。采用这种优化后的MOS电容能够节省电路面积，降低成本，提高电路性能。对于具体的开关电容转换器来说，能够提高电路的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 寄生 电容 mos 优化 方法 | ||
【主权项】：
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