[发明专利]一种制绒清洗方法及异质结电池在审
| 申请号： | 202010552112.3 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111508824A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 左国军;谢毅;任金枝;刘正新 | 申请（专利权）人： | 常州捷佳创精密机械有限公司;中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/072 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰 |
| 地址： | 213133 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制绒清洗方法及异质结电池。制绒清洗方法包括以下步骤：步骤1、用含有臭氧的混合溶液对硅片进行预处理，预处理过程中硅片的表面生成用以附着污染物的氧化层；步骤2、通过碱液去除硅片表面的氧化层；步骤3、水洗后对硅片进行氧化性清洗，清洗过程中硅片的表面再次生成氧化层；步骤4、通过碱液对硅片进行制绒；步骤5、对硅片进行不少于一次的水洗；步骤6、用含有双氧水的碱液对硅片去污；步骤7、水洗后用含有臭氧的酸液对硅片表面进行圆化处理；步骤8、水洗后对硅片进行酸洗；步骤9、水洗后烘干硅片。本发明具有成本低、绒面一致性好、更环保等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 异质结 电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
