[发明专利]一种改善硅片倒角面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 202010552929.0 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111805343A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;丁晓建 | 申请（专利权）人： | 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24D7/18 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，对于硅片倒角为R型倒角，且要求研削后R型倒角的沟槽角度为A±0.5°的硅片；采用砂轮研削时，设定粗研沟槽的角度为A+0.5°～A+2°，精研沟槽的角度为A‑0.5°～A；研削后的倒角面粗糙度Ra值在30um以下，Rz值在120um以下；通过优化设计砂轮沟槽，设计粗研沟槽与精研沟槽的角度，通过粗研与精研沟槽之间的巧妙搭配与优化，从而改变粗研与精研的研削量，达到优化表面粗糙度的效果，在业界属于全新的尝试与创新。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 倒角 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新欣晶圆半导体科技有限公司，未经上海新欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010552929.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
