[发明专利]半导体存储器及其操作方法在审
申请号: | 202010553079.6 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112599173A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 徐文植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/08;G11C16/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了半导体存储器及其操作方法。一种半导体存储器包括:存储器块,包括多个页;外围电路,用于在对存储器块的写入操作中对存储器块执行第一擦除操作、编程操作和第二擦除操作;以及控制逻辑,用于控制外围电路以执行写入操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在第一擦除操作中,将存储器块中包括的多个存储器单元擦除到具有比目标擦除状态的阈值电压更高的阈值电压的预擦除状态,并且控制外围电路以在第二擦除操作中,将多个存储器单元之中的一些存储器单元擦除到目标擦除状态。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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