[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010553305.0 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN112242358A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 高久悟 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;H01L21/56;H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一个实施方式,本实施方式的半导体装置具备布线基板。第一元件设于布线基板的第一面上。第一树脂层覆盖第一元件。至少一个第二元件比第一元件大,并配置为在第一树脂层上重叠于第一元件。在第一树脂层的端部,加强部件的至少一端位于第一树脂层内,加强部件的上表面设于比布线基板的第一面高的位置。加强部件的线膨胀系数低于第一树脂层。封固树脂在布线基板的第一面上覆盖第一元件、第二元件、第一树脂层以及加强部件。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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