[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010553305.0 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112242358A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 高久悟 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/24 | 分类号: | H01L23/24;H01L21/56;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据一个实施方式,本实施方式的半导体装置具备布线基板。第一元件设于布线基板的第一面上。第一树脂层覆盖第一元件。至少一个第二元件比第一元件大,并配置为在第一树脂层上重叠于第一元件。在第一树脂层的端部,加强部件的至少一端位于第一树脂层内,加强部件的上表面设于比布线基板的第一面高的位置。加强部件的线膨胀系数低于第一树脂层。封固树脂在布线基板的第一面上覆盖第一元件、第二元件、第一树脂层以及加强部件。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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