[发明专利]一种封装晶圆级芯片的方法有效
| 申请号： | 202010559444.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111755342B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 任超;方梁洪;彭祎;李春阳;刘凤;梁于壕 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种封装晶圆级芯片的方法，包括确定制备锡球的数量及制备锡球的半径；确定目标封装晶圆中目标锡球的目标球下金属层UBM的目标尺寸；提供形成有芯片焊盘的待封装晶圆，在待封装晶圆上形成第一保护层；开设导电通孔，通过导电通孔暴露出芯片焊盘；形成金属种子层；在金属种子层上方形成具有目标尺寸的UBM；在UBM上放置所确定的制备锡球，对制备锡球进行回流处理，形成目标锡球。本发明基于确定的UBM尺寸，通过对所确定的满足回流个数和回流半径制备锡球进行合并回流处理，从而得到满足用户需求的锡球尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 晶圆级 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
