[发明专利]具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010559676.X | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112349681A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 赖俊吉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基层、多个条导线、多个介电柱、以及具有多个密封盖的一密封层。所述多个导线位于该基层上。所述多个介电柱位于该基层上，且与所述多个导线分离。所述多个密封盖位于所述多个导线和所述多个介电柱之间，其中所述多个密封盖与所述多个导线和所述多个介电柱接触，并且与该基层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 隙介电质 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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