[发明专利]三维存储器及制备方法、电子设备

摘要

本申请提供了三维存储器及制备方法、电子设备。其中，制备方法包括提供衬底，形成覆盖衬底的牺牲层。形成覆盖牺牲层的叠层结构。形成贯穿叠层结构以及牺牲层的NAND串，NAND串包括沟道层、以及设于沟道层周缘的存储器层。形成贯穿叠层结构的栅缝隙。去除牺牲层以形成空隙。去除位于空隙内的部分存储器层，以露出沟道层。在空隙内形成第一半导体材料层，以使第一半导体材料层填充部分空隙。形成覆盖第一半导体材料层的绝缘层，绝缘层设于第一半导体材料层内。形成覆盖绝缘层的替换层。本申请可将在相关技术中在第一半导体材料层上方的底部选择栅极设于半导体材料层内，从而降低底部选择栅极与衬底之间的距离，提高底部选择栅极的电学性能。