[发明专利]周界沟槽形成和划界蚀刻去层有效
| 申请号： | 202010564283.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112117175B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | J·克拉克;M·勒杜;B·阿维迪相;J·L·蒙富尔 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01J37/31 | 分类号： | H01J37/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 周界沟槽形成和划界蚀刻去层。公开了用于样品制备的装置和方法，适用于多层样品的在线或离线使用。利用离子束技术来提供快速、准确的去层，并在一系列目标层上提供刻蚀停止。一方面，围绕感兴趣区域（ROI）铣削沟槽，并且在内侧壁上形成导电涂覆。由此，在ROI内的中间层与基层之间形成可靠的导电路径，并且消除延伸到ROI外的杂散电流路径，从而在后续蚀刻期间从体电流或散射电流提供了更好质量的蚀刻进度监测。离子束辅助气体蚀刻提供了快速去层，并在目标多晶硅层处提供蚀刻停止。可以实现深层的均匀蚀刻。公开了变型和结果。 | ||
| 搜索关键词： | 周界 沟槽 形成 划界 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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