[发明专利]一种薄膜制备方法及设备在审
申请号: | 202010565010.5 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN113818003A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 蔡新晨;林轩宇;张亚梅;柴智 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/505;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 李建航 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备,薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件,以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱,在绝缘柱置入凹槽中时,绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面,绝缘柱为多个,用于固定衬底,绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定,待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层,也就是说,本申请实施例中,可以通过调整绝缘柱的高度,来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离,从而调控在衬底上形成的膜层的特性,可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数,提高膜层的均匀性,提高成膜质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 制备 方法 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技股份有限公司,未经拓荆科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010565010.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜制备设备及方法
- 下一篇:一种校园食品安全管理信息平台
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的