[发明专利]一种薄膜制备方法及设备在审

专利信息
申请号: 202010565010.5 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN113818003A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 蔡新晨;林轩宇;张亚梅;柴智 申请(专利权)人: 拓荆科技股份有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/505;H01L21/67;H01L21/687
代理公司: 北京允天律师事务所 11697 代理人: 李建航
地址: 110171 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备,薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件,以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱,在绝缘柱置入凹槽中时,绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面,绝缘柱为多个,用于固定衬底,绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定,待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层,也就是说,本申请实施例中,可以通过调整绝缘柱的高度,来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离,从而调控在衬底上形成的膜层的特性,可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数,提高膜层的均匀性,提高成膜质量。
搜索关键词: 一种 薄膜 制备 方法 设备
【主权项】:
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