[发明专利]具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法

摘要

本申请涉及一种具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法，所述晶体管连接于电压节点与负载节点之间，其中所述晶体管包含：覆盖具有第一导电性类型的半导体的电介质；覆盖所述电介质的导体；形成于所述半导体中并且具有第二导电性类型的第一延伸区域基底和第二延伸区域基底；形成为覆盖相应第一延伸区域基底和第二延伸区域基底并且具有所述第二导电性类型的第一延伸区域竖件和第二延伸区域竖件；以及形成于相应第一延伸区域竖件和第二延伸区域竖件中并且具有所述第二导电性类型的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的导电性水平大于其相应延伸区域竖件的导电性水平。