[发明专利]异质结电池、制备方法及异质结电池组件在审
申请号: | 202010568218.2 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111653643A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 苏晓东;邹帅;张晓宏 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/0745 | 分类号: | H01L31/0745;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 215001*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件,所述异质结电池包括:硅片;非晶硅层,包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层;透明导电层;电极。本发明中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极,互联时可实现两个电极的交替排列;焊带焊接于电池同侧,可减少组件中电池间距,增加组件的有效发电面积,从而提高组件的输出功率;焊带无需上下绕行,减小了焊带长度,进而减小了焊带上的焦耳损耗。 | ||
搜索关键词: | 异质结 电池 制备 方法 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的