[发明专利]一种增强MOSFET可靠性的方法、设备、计算机设备和介质有效
| 申请号： | 202010570092.2 | 申请日： | 2020-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN111858235B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 廖明超 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/30 | 分类号： | G06F11/30 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张元 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强MOSFET可靠性的方法和设备，该方法包括以下步骤：检测MOSFET的环境温度，并将环境温度与阈值温度进行比较；响应于环境温度不小于阈值温度，将环境温度转换为电信号；将电信号传输到Charge Pump模块中以根据该电信号使Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；将Charge Pump模块的输出电压输入到MOSFET的Gate driver模块中以使MOSFET开启速度变慢。通过使用本发明的方案，能够使得热插拔过程中系统浪涌电流减小，保证MOSFET在高温环境下，也能工作在SOA的安全区域，减小被击穿的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 mosfet 可靠性 方法 设备 计算机 介质 | ||
【主权项】：
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