[发明专利]阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。其中，该阻变存储器包括：阻变介质层，用于阻变存储；其中，阻变介质层包括：掺杂介质层，其部分具有一定掺杂浓度的金属原子，用于在阻变存储器中形成局部增强电场，使得阻变存储器的导电通道生成位置可控，从而提高器件可靠性，同时，因此可以使得本发明的阻变存储器具有免去初始激活过程特性，在初始时稳定表现为低阻态，防止在大电压激活过程中造成的电流过冲问题，此外在保证了较好电压耐受能力的同时，可以使得器件本申请的尺寸得到很好的控制，降低了大电压的功耗。