[发明专利]NMOS输出功率管的低压差稳压器有效
| 申请号： | 202010578679.8 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111638745B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 罗可欣 | 申请（专利权）人： | 上海安路信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200434 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括低压差稳压单元和电流检测单元，电流检测单元包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压。所述NMOS输出功率管的低压差稳压器，能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 输出 功率管 低压 稳压器 | ||
【主权项】：
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