[发明专利]LDMOS晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010583302.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838906A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李敏;季明华;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS晶体管及制备方法，该晶体管包括：形成有第一掺杂类型的掺杂区的半导体衬底，第一掺杂类型的掺杂区内形成有掺杂类型相反的第一掺杂类型的阱区及第二掺杂类型的阱区；位于第二掺杂类型的阱区内的源区及位于第一掺杂类型的阱区内的漏区；位于源区与漏区之间的STI结构，STI结构包括形成于浅沟槽中的叠层结构，叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层；位于半导体衬底上的栅极，栅极的一侧延伸至源区上方，另一侧延伸至STI结构的上方；与栅极及所述叠层结构最上层的绝缘材料层连接的接触孔；与接触孔电连接的金属层。本发明的LDMOS晶体管实现了在提高LDMOS晶体管器件击穿电压BV的同时有效降低了其导通电阻Ron。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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