[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010583864.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151383A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 德光成太;丸山祥辉;饭田里志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例总体上涉及半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底、形成第一开口、形成第一绝缘层、形成第二开口、嵌入导电层、形成保护层和执行CMP。所述衬底包括半导体衬底和半导体层。导电层嵌入在第二开口中，使得形成沿半导体层厚度方向的间隙。保护层形成在导电层表面的至少一部分上的第二开口中。在CMP步骤中，移除导电层在第二开口外部形成的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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