[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010586592.5 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838850B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李淑媚 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。动态随机存取存储器包括基底、位线堆叠结构、介电层、接触窗结构、隔离层与蚀刻终止层。位线堆叠结构包括位线结构与硬掩模层。位线结构位于基底上。硬掩模层位于位线结构上。介电层位于位线堆叠结构上且具有开口。接触窗结构位于位线堆叠结构一侧的基底上。接触窗结构包括有源区接触窗与电容器接触窗。有源区接触窗位于基底上。有源区接触窗的顶面被开口暴露出。电容器接触窗位于有源区接触窗上的开口中。隔离层位于硬掩模层与介电层之间且位于电容器接触窗与位线堆叠结构之间。蚀刻终止层位于介电层与隔离层之间。上述动态随机存取存储器可有效地防止短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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