[发明专利]混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法在审
| 申请号： | 202010587592.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112563235A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | S.利夫;A.埃尔舍比尼;J.斯万;N.楚诺达;姚计敏 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈涵瀛;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的主题是“混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法”。实施例包括混合的杂混接合结构，所述混合的杂混接合结构包括复合介电层，其中复合介电层包括具有多个无机填充材料的有机介电材料。一个或多个导电衬底互连结构在复合介电层内。管芯在复合介电层上，所述管芯在管芯介电材料内具有一个或多个导电管芯互连结构。一个或多个导电管芯互连结构直接接合到一个或多个导电衬底互连结构，并且复合介电层的无机填充材料接合到管芯介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 接合 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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