[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010587736.9 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112530958B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 冈田信彬;内海哲章 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1、第2芯片及第1、第2电源电极。第1芯片具备多个第1导电层、与它们对向的半导体柱、连接于多个第1导电层的多个第1接点、连接于第1电源电极的多个第2接点、连接于第2电源电极的多个第3接点、及连接于多个第1接点的多个第1贴合电极。第2芯片具备半导体衬底、设置在半导体衬底的多个晶体管、连接于多个晶体管的多个第4接点、及连接于多个第4接点的多个第2贴合电极。多个第2接点与多个第3接点对向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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