[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010587964.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112185952A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 河野诚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。在半导体衬底(2)的第一单元区域(3a)形成有第一半导体元件(4a)。在半导体衬底(2)的第二单元区域(3b)形成有第二半导体元件(4b)。第一半导体元件(4a)包含第一电极(18a)、第一p区域(11a)。第二半导体元件(4b)包含第二电极(18b)、第二p区域(11b)。第一电极(18a)与第二电极(18b)彼此分离。第一p区域(11a)与第二p区域(11b)彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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