[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010588990.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111739795B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何艳;王京;蒋中伟;陈国动 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，向刻蚀腔室内通入第一工艺气体，并开启电源，对多晶硅栅极顶部表面进行刻蚀；上射频电源和下射频电源皆输出连续波；掺杂刻蚀步骤，通入第二工艺气体，对多晶硅栅极进行刻蚀；上射频电源输出连续波，下射频电源输出脉冲波；主刻蚀步骤，通入第三工艺气体，对多晶硅栅极继续刻蚀，直至达到指定刻蚀深度，且在刻蚀过程中在多晶硅栅极的顶部沉积形成保护层，以获得指定图案；过刻蚀步骤，通入第四工艺气体，对具有指定图案的多晶硅栅极继续刻蚀，直至达到目标刻蚀深度，以获得目标图案。应用本申请，在现有技术之上大幅度缩小甚至消除微观负载效应，且没有“缩脖”或“内陷”效应。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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