[发明专利]LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板有效
| 申请号： | 202010589118.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111599751B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 曹志浩;唐维;黄建龙 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板，本申请中采用酸性试剂刻蚀所述栅极金属层的表面，形成凹凸不平的表面，在该凹凸不平的表面上涂布光阻图案，增加光阻图案与栅极金属层的附着力，采用酸性试剂刻蚀有光阻图案的栅极金属层的两侧，刻蚀出准栅极，然后用风刀干燥准栅极和光阻图案，光阻图案不会被吹掉，以准栅极为遮蔽层，对多晶硅有源层两端没有被准栅极遮盖的部分进行N型离子重掺杂，由于存在光阻图案的保护，等离子体掺杂过程不会刻蚀掉栅极图案，既能节约一道光罩成本，又能保护栅极的完整性，从而提升LTPS TFT基板制程良率。 | ||
| 搜索关键词： | ltps tft 制造 方法 基板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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