[发明专利]晶圆薄膜成型加热装置、加热盘辅助拆卸结构及拆卸方法在审
| 申请号： | 202010589816.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838771A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王燚 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体设备技术领域，具体为提供了一种晶圆薄膜成型加热装置，以及基于该加热装置提供了一种加热盘辅助拆卸结构及拆卸方法。在加热盘拆卸的时候能很好的保护到加热盘，通过设置辅助拆卸机构，利用该辅助拆卸机构内的顶销，向上旋进最终将加热盘盘柄底部向上顶起，方便拆卸加热盘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 成型 加热 装置 辅助 拆卸 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
