[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法，直接利用位线结构界定出若干节点接触窗，由于此时节点接触窗的高度较低，深宽比较小，在节点接触窗中形成第一电性传输层时，对第一电性传输层的形成工艺要求较小；形成第一电性传输层之后再形成间隔图案，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，开口至少露出第一电性传输层的部分顶部，形成第二电性传输层于开口中，由于此时开口的高度较低，深宽比较小，在开口中形成第二电性传输层时，对第二电性传输层的形成工艺要求也较小，并且，将第二电性传输层与第一电性传输层电性连接后构成节点接触结构，在此步骤中不会对存储器造成不良影响。