[发明专利]串行闪存及其地址控制方法在审
| 申请号： | 202010594516.9 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111813705A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种串行闪存，包括：存储阵列，行译码器、列译码器、控制模块和SPI接口。控制模块还包括行使能信号。当读取到SPI地址信号中的SPI行地址的最后一位时，控制模块使行使能信号使能，行使能信号使串行闪存的内部地址的内部行地址有效并使行译码器译码并选定内部行地址。本发明还提供一种串行闪存的地址控制方法。本发明能放松对行地址的时序要求，能减少行译码器的面积，还能减少行驱动电路的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 串行 闪存 及其 地址 控制 方法 | ||
【主权项】：
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