[发明专利]一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010599719.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111900123A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 金镇泳;李俊杰;周娜;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体结构，包括半导体基底和形成于基底上的接触孔；所述接触孔包括上部和下部，并且所述上部的尺寸小于所述下部的尺寸以使得所述上部和下部构成上窄下宽的竖直截面为“凸”字形状。本申请的结构及其制造方法能够解决在高深宽比或小孔的开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在斜坡刻蚀轮廓的问题，并且能够有效控制顶底关键尺寸比例等于或者接近理想比例数值1.0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高深 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
