[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 202010603333.9 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111899779A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李映勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34;G11C7/04;G06F3/06;G11C16/16;G11C16/24;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/08;G11C16/32 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体存储器件的擦除操作方法，所述方法包括：施加第一擦除控制电压给包括多个存储单元的存储单元阵列的字线；施加设定擦除电压给存储单元阵列的源极线；施加第二擦除控制电压给字线；以及继续施加正常擦除电压给源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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