[发明专利]半导体可控硅的悬浮电压的去除方法在审
| 申请号： | 202010605130.3 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111934300A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 卞光辉;范俊 | 申请（专利权）人： | 苏州艾克威尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;G06F30/30 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 郭磊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法。本发明一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，包括：将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端；其中，所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压，进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压；所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。本发明的有益效果：本发明模拟了整个控制系统的数学模型，通过悬浮电压的吸收装置吸收大部分漏电流，可以有效的减少输出端人体触电事故，使用简单，与半导体输出端并联即可。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 可控硅 悬浮 电压 去除 方法 | ||
【主权项】：
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