[发明专利]处理装置在审
| 申请号： | 202010610089.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112185874A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 新田秀次;瓜田直功;江角和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H05F3/04;H05F3/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供处理装置，在使晶片从保持构件离开时良好地进行静电的除电。一边使划片带(T1)的下表面中的从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的部分的面积逐渐增大，一边向该部分吹送离子化空气(A1)，由此，将划片带(T1)所带的静电去除。因此，能够抑制从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)带电，并且能够一边将划片带(T1)所带的静电去除，一边将工件组(W1)从保持面(23)搬出。由此，从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)不容易带静电。因此，能够抑制形成在工件组(W1)的晶片(W)上的器件的品质的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
