[发明专利]一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 202010610464.X | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111826610B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吴艳霞;于盛旺;刘颖;刘云琳;高洁;黑鸿君;周兵;马永 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/58;C23C14/35;C23C16/26;C23C16/50;C23C16/56 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法。在真空腔体中使用Ni、Fe、Co其中一种磁性金属作为基台，在基台处设置电磁铁，在加偏压的情况下，基台处形成了由闭合磁场约束的等离子氛围，基底置于基台上，基台元素被反溅射到基底上，依次通过反溅射基台、溅射碳靶材或者离化含碳气体，在基底上沉积磁性金属/非晶碳多层薄膜，然后使用热处理炉，通过控制退火温度和退火时间，最终得到不同层数和不同结晶度的石墨烯。使用该方法制备的石墨烯层数可控、质量高、均匀性好，同时操作简便、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 非晶碳 低温 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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