[发明专利]通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成在审
| 申请号： | 202010618057.3 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725069A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;V·马赫卡奥特桑;K·利姆;S·S·宋;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成。形成FinFET器件的半导体鳍的方法包括在半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜。该方法还包括氧化该非晶或多晶薄膜，以将锗从该非晶或多晶薄膜扩散到该半导体鳍中。此类方法进一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 ge 凝结 进行 finfet 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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