[发明专利]低翘曲扇出型加工方法及其基材的生产在审
| 申请号： | 202010618986.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112233985A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 金榛洙;肖宇 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/15;C03B23/203;C03B33/07;C03B33/08;C03C15/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张璐;江磊 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
提供了低翘曲扇出型加工方法及其基材的生产。扇出型加工的方法包括：提供或获得熔合玻璃层压片或晶片，其具有芯体层以及第一包层和第二包层，所述芯体层包括具有芯体玻璃热膨胀系数α |
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| 搜索关键词： | 低翘曲扇出型 加工 方法 及其 基材 生产 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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