[发明专利]1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法在审
| 申请号： | 202010620711.4 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111883478A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，在半导体基板上规划出多个有源区，所述的有源区呈多个互相平行的条形；在所述的多个有源区上方，还具有多个互相平行且与有源区垂直的多晶硅线，所述多晶硅线与其下方的半导体基板之间还分别形成有多个接触孔，所述多个接触孔避开有源区，位于有源区之间的区域；所述接触孔的尺寸大于多晶硅线的宽度，所述的多个平行多晶硅线在接触孔区域其宽度变大，以满足接触孔的落孔尺寸要求；每间隔一定数量的节点，在有源区之间设置一个多晶硅线的接触孔的集中接触区，通过将相邻的多晶硅线的接触孔区域进行互补型局部放大，彼此错开，以节省接触孔区所占用的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 1.5 sonos 闪存 器件 接触 连接 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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