[发明专利]一种MOCVD设备清洁方法

摘要

本申请实施例提供一种MOCVD设备清洁方法，所述MOCVD设备清洁方法包括：将待处理的石墨件置于MOCVD设备的反应室中，持续通入氢气；升高所述反应室的温度至目标温度；通入流量为100‑1000sccm的第一腐蚀气体，进行第一次腐蚀；当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到第一目标深度时，停止通入所述第一腐蚀气体，在具有氢气的环境下进行第一次烘烤；通入流量为100‑600sccm的第二腐蚀气体，进行二次腐蚀；当所述二次腐蚀的腐蚀深度达到第二目标深度时，停止通入所述第二腐蚀气体，通入砷烷进行二次烘烤；当达到预设条件时，停止加热，停止通入砷烷。本申请实现了在不破坏石墨件的同时，将石墨件清理干净。