[发明专利]吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物、其制备方法与应用以及电子器件有效

专利信息
申请号: 202010626995.8 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111704624B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 廖良生;蒋佐权;朱向东 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C07D498/06 分类号: C07D498/06;C07D519/00;C09K11/06;H10K85/10;H10K85/60;H10K50/15;H10K30/10;H10K10/46
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 叶栋
地址: 215104 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪化合物、其应用以及电子器件。本发明的吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪化合物通过引入吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪的刚性结构,其的成膜性和热稳定性优异,可用于制备有机电致发光器件、钙钛矿太阳能电池、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外,本发明的吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪化合物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料,能够降低驱动电压,提高效率、亮度和寿命等。更为重要的是,本发明的吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪化合物具有非常良好的平面性,因此可以高效地传输载流子,从而是构建空穴传输材料的理想骨架。本发明的吲哚并[3,2,1‑kl]吩噁嗪化合物的制备方法简单,原料易得,能够满足工业化的发展需求。
搜索关键词: 吲哚 kl 吩噁嗪 化合物 制备 方法 应用 以及 电子器件
【主权项】:
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