[发明专利]一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法在审
| 申请号： | 202010635200.X | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111781189A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 许田;尹瑶瑶;方靖淮;金永龙;许美凤;王超男 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法。其中，一种可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其包括，包覆层和导波层，所述导波层为玻璃片，所述包覆层为金属薄膜，分布于所述导波层的上、下两面。所述包覆层为使用蒸发镀膜法和/或磁控溅射法中的一种或几种制备所得。通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为80～120nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为20～40nm。本发明制备的普通平板波导结构具有阵列结构，操作简单，所需要的原料较为廉价，节约成本，且操作便捷，更适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光热 效应 刻蚀 sers 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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