[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法在审
| 申请号： | 202010636793.1 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112216647A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田村一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法。将基板的温度分布控制为在分隔壁的内侧和外侧急剧变化。基板载置台包括：基部，其具有载置基板的载置面；环状的支承构件，其设于基部，沿着基板的外周侧支承基板；环状的分隔壁，其设于载置面，在载置于载置面的基板的径向上将载置面分隔为外侧区域和内侧区域；多个突起，其设于外侧区域和内侧区域处的载置面，以在分隔壁的上端面与基板间空开空隙的方式支承基板；外侧流路，其以与外侧区域连通的方式设于基部，供向基板与载置面间的空间供给的传热气体流动；内侧流路，其以与内侧区域连通的方式设于基部，供传热气体流动；环状的扩散部，其设于基部，使传热气体沿着分隔壁的周向扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载置台 处理 装置 以及 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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