[发明专利]一种纳米超顺磁性分子印迹磁珠及制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010637080.7 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111774041A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 刘雪峰;王子龙;彭秀英;董培智;马学文;芦冬涛 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;G01N1/28;G01N1/38;G01N1/40;C08F222/14;C08F220/04;C08J9/28;C08L35/02
代理公司: 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 代理人: 郭海燕
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于化学分析检测技术领域,具体涉及一种纳米超顺磁性分子印迹磁珠及制备方法和应用。该分子印迹磁珠的制备方法包括超顺磁性纳米材料的制备、表面二氧化硅的包覆修饰和表面分子印迹修饰制备三个步骤。本发明的识别西地那非分子印迹磁珠对西地那非分子具有高选择性吸附作用,可用于西地那非分子的吸附富集,其比表面积大、分散性好、吸附量大、磁响应性强,且具有好的稳定性,结合色谱、电化学等检测技术,有利于提高对食品、药品、保健品等产品中微量西地那非分子的检测灵敏度。
搜索关键词: 一种 纳米 顺磁性 分子 印迹 制备 方法 应用
【主权项】:
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