[发明专利]EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件在审
| 申请号： | 202010637924.8 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111679549A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 堀越淳 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂和使用其的防尘薄膜组件，该防尘薄膜组件的制造方法，以及EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂的选择方法。本发明的接着剂为，接着剂的硬化物在300℃的氛围气中进行7日连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围。式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 防尘 薄膜 组件 适宜 接着 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
