[发明专利]基板处理装置和方法在审
| 申请号： | 202010638699.X | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN112201557A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李城吉;吴世勳;吴东燮;李知桓;金东勳;朴玩哉 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用等离子体处理基板的装置和方法，所述装置和方法具有提升的等离子体稳定性和工艺重复性。基板处理方法包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域内布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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